1 項目背景
在中美貿易戰摩擦加劇的背景下，對於（yú）半導體（tǐ）材料自主控製權的爭奪已經愈演愈烈。尤其是近幾 年我國新建產能成為全球晶圓（yuán）廠的主要增量，但是製約半導體產業做強的上遊關鍵原材料和生產設備 仍然幾乎被（bèi）美國和日本的（de）公司所壟斷，如今西方多家對（duì）中（zhōng）國科技（jì）尤（yóu）其是芯片產業的進一步（bù）封鎖，對於 我國半（bàn）導體行業發展的打擊幾乎是一劍封喉，因此（cǐ）半導體材料國產化戰略地（dì）位凸顯，在材料領域進口 替代進程加速是大勢所趨。
2 產品說明
CMP (ChemicalMechanicalPolishing)化學（xué）機械拋光是一個化學腐蝕和（hé）機械摩擦的結（jié）合。是目前（qián）最 為普遍的半導體材料表麵平整技術，兼（jiān）收了（le）機械摩擦和化學腐蝕的優（yōu）點，從而避免了由單純機械拋光 造成的表麵（miàn）損傷和由單純化學拋光易造（zào）成的拋（pāo）光（guāng）速度（dù）慢、表麵平整度和拋光一致性差等缺點。可（kě）以獲 得比較完美的晶片表麵。
國際上普遍認為，器件特征尺寸在0.35μm以下時，必須進行全（quán）局平麵化以保證（zhèng）光刻（kè）影像傳遞的精 確度和分辨率，而CMP是目前幾乎（hū）唯一的可（kě）以提供全局平麵化的技術。其設備作用原理（lǐ）圖（tú）如下（xià）：
研磨液：研磨時添加的液體狀物質，顆粒大小跟研磨後的刮傷等缺陷有關，顆粒越大對晶片的（de）損 傷越大，顆粒越小越好。基本形式是由納米粉體拋光劑和一個堿性組分（fèn）水溶液組成，顆粒的大小1-
100nm，濃度1.5%-50%，堿性組成一般是KOH，氨或有機胺，pH為（wéi）9.5-11。
由於氣（qì）相二氧化矽（guī）的高純度、可控製的原始（shǐ）納米粒徑和粒徑分布等，使得氣相sio2成（chéng）為氧化物拋 光研磨液中的（de）主要磨料。
3 項目原料：
金屬矽粉、鹽酸、氫（qīng）氣。 年（nián）產1000噸納米氣相鈦白粉項目 年產20000噸特種紙專用輕質碳酸（suān）鈣項 目年產1000噸BIPB（無味DCP）項（xiàng）目 持續研發
4、項目配套：
化工產業園區、蒸汽、電力（lì）、工業水。
5、技術（shù）優勢
專利：一種氣相（xiàng）法生產（chǎn）二氧化矽及金屬氧化物的設備
專利：一種生產高純三氯氫矽和四氯化矽的裝置及工藝
6、項目總（zǒng）投資1.5億元。
7、項目占地：30畝
8、經濟效益
