CMP (ChemicalMechanicalPolishing)化學機械拋光是一個化學腐蝕和機（jī）械摩擦的結（jié）合。是目（mù）前較為普遍的（de）半導（dǎo）體材料表（biǎo）麵平整技術，兼收了機械摩擦和化（huà）學腐（fǔ）蝕的優點，從而避免了由單純機械拋光造成的表麵損傷和由單純化學拋光易造成的（de）拋光速度慢、表麵平整度（dù）和拋光一致性差等缺點。可以獲得比較完美的晶片表麵。
國際上普遍認為，器件特征尺寸在0.35μm以（yǐ）下時，必須進行全局平麵化以保證光刻影像傳遞的精確度和分辨率，而CMP是目前可以提供全（quán）局平麵（miàn）化的技術。其設備作用原理圖如（rú）下：
研磨液：研磨時添加的（de）液體狀物質，顆粒大小跟（gēn）研磨後（hòu）的刮傷等缺陷有關，顆粒越大對晶片（piàn）的損（sǔn）傷越大，顆粒越小越（yuè）好。基（jī）本形（xíng）式是由納米粉體拋光劑和一個堿性組（zǔ）分水溶液組成，顆（kē）粒的大小1-100nm，濃度（dù）1.5%-50%，堿性組成（chéng）一般是KOH，氨或有機胺，pH為9.5-11。
由於氣相二氧化矽的高純（chún）度（dù）、可控製的原始納米粒徑和粒徑分布等，使得氣相sio2成為氧化物拋光研磨液中（zhōng）的主要磨料。
本項目經過專有（yǒu）工藝生產的CMP氣矽對打破國外品牌對研磨液（yè）用氣矽的壟斷地位，對中國芯（xīn）片（piàn）全產業（yè）鏈的發（fā）展貢獻，具有（yǒu）十分重要意（yì）義。
